使用IC的功放一定比分立元件的功放音质差吗？

mxwmke1

ACDC2017 发表于 2017-7-17 12:20

还有一点：这个管的Ft特性要在几个G以上。
分立电路的设计在选择Ft参数上很多人是忽略的，但这关乎到放大器最终能否稳定工作的问题。
大致遵循：每一级用管的Ft参数以10倍递增。复合管按复合后实际Ft考虑，即：
如果最低Ft为10Mhz，其它两级分别选100Mhz和1000Mhz。实际很多人做功放能达到这样水准的
罕见。

这是电路设计的一个基础理论，功放一般由3级构成，这和运放的基本构成是一样的。
（因此可以找关于运放设计的基础书籍）。
理论上，当3级级联的时候，就会产生3个极点，如果各级的频率特性差不多的话，三个极点
就离得比较近。怎么说呢（这是很多初学者最不愿意接触的理论部分）？
理论上，一个极点之后，幅频特性按6分贝滚降，放大器总要加大环路负反馈，那么反馈后的增
益与开环特性曲线的切点初如果超过12分贝/倍频滚降就会自激，三个极点就是18分贝/倍频。必
然自激无疑，也就是，第一个极点之后的那两个极点必须远离第一个极点，假如，第一个极点为
200Hz，我们设计假如60分贝的反馈量，计算下来，第二个极点必须在：200KHz之后，第三个极
点还要更远。它们由于级联关系，就要求他们的频率特性要按照每级10倍递增。
我觉得我说的不是很好，关于这部分，应该是至少一个章节的内容（真要弄透了，那是一本书）。
总之：就是为了放大器能稳定工作而必须遵循的原则，很多人装功放，根本没有考虑到这点，选管
的Ft值往往不够，最终都会发生自激，于是也知道消振，被迫加大滞后补偿（使第一个极点大幅度
向频率底端移动）。才能消除自激。

为了能使放大器最终可以稳定工作。

你关于晶体管应用的理论没有学好，应补习各类晶体管ft特性适用什么类型放大器。别拿一些自以为是的"理论"误导他人。

这些年来仅看到你做过一个怪异的LM1875扩流BTL电路外，其它观点都是颠覆关于音频放大器设计的基础理论。别蔑视广大坛友的智商。

ZMH8771140

flyingf 发表于 2017-7-17 18:01
我覺得輸入失調電壓跟動態沒關係，記得沒錯的話運放輸出 = Vdiff(失調電壓)*AOL 開環增益，
輸入失調電 ...

好，又见到你了。再看我的文章，确实错了。输入失调电压是输出失调电压折算到输入端的电压，就不是800倍了，还要除以放大倍数。您看对否？

ZMH8771140

flyingf 发表于 2017-7-17 18:01
我覺得輸入失調電壓跟動態沒關係，記得沒錯的話運放輸出 = Vdiff(失調電壓)*AOL 開環增益，
輸入失調電 ...

您上次谈到的放大器电源噪音抑制能力理论，很有指导意义。我制作了一件双48V分立件前级，放大倍数噪音3.8倍，所以没有使用稳压电源，仅仅是整流滤波，噪音都很低。要是没有您的理论，可能又要搞什么稳压电源。谢谢您了。

ZMH8771140

flyingf 发表于 2017-7-17 18:01
我覺得輸入失調電壓跟動態沒關係，記得沒錯的話運放輸出 = Vdiff(失調電壓)*AOL 開環增益，
輸入失調電 ...

我根据输入失调噪音理论，采用高信号电压传输，功放放大倍数选7.8倍。效果很好。

ACDC2017

mxwmke1 发表于 2017-7-17 18:33
你关于晶体管应用的理论没有学好，应补习各类晶体管ft特性适用什么类型放大器。别拿一些自以为是的" ...

您太抬举我了，我可没有那么大的本事，这些并不是我自创的理论。
都是一些相关书籍上可以查阅到的。如果不相信，您到图书馆去找相关的书籍吧。
早年，有本《电声技术》杂志，那上面经常会有一些高人发表一些论文，就是讲这些问题的。
为了弄清楚这些问题，我先后反复翻阅了5、6本相关著作。
请参考参考：
集成运算放大器的电路设计基础、高阶滤波器设计、放大器零极点校正等科目书籍。

mxwmke1

ACDC2017 发表于 2017-7-17 19:34
您太抬举我了，我可没有那么大的本事，这些并不是我自创的理论。
都是一些相关书籍上可以查阅到的。如果 ...

您太抬举我了，我可没有那么大的本事，这些并不是我自创的理论。
都是一些相关书籍上可以查阅到的。如果不相信，您到图书馆去找相关的书籍吧。
早年，有本《电声技术》杂志，那上面经常会有一些高人发表一些论文，就是讲这些问题的。
为了弄清楚这些问题，我先后反复翻阅了5、6本相关著作。
请参考参考：
集成运算放大器的电路设计基础、高阶滤波器设计、放大器零极点校正等科目书籍。

我不会抬举你。为证实你的"理论"是自以为是，有书为证。

ACDC2017

flyingf 发表于 2017-7-17 17:28
這個算是基礎知識？我倒是覺得這個挺進階的。
所以你的作法是把其他極點逼到遠離閉環時的交接點，所以看 ...

晶体管寄生电容是客观存在的，Ft参数高的管子寄生电容就小。
这些电容的影响随放大器电路形式不同而有差异，一般来说，共发射极放大的频率特性是最不好的。
共集电极、共基极电路的高频特性就好得多。

ACDC2017

mxwmke1 发表于 2017-7-17 19:40
我不会抬举你。为证实你的"理论"是自以为是，有书为证。

探讨的是：三级级联放大器闭环。
这与单独的一级放大是不同的。

mxwmke1

ACDC2017 发表于 2017-7-17 19:52
探讨的是：三级级联放大器闭环。
这与单独的一级放大是不同的。

多级晶体管放大器电路，只根据该级晶体管工作电流而选择不同耗散功率的管子，没有对管子ft每级10倍递增的说法。做功放不需要用到Ft特性几个G以上的管子。

ACDC2017

mxwmke1 发表于 2017-7-17 20:11
多级晶体管放大器电路，只根据该级晶体管工作电流而选择不同耗散功率的管子，没有对管子ft每级10倍递增的 ...

这样说还是把三级级联有闭环回路的结构与单级电路混淆了，10倍是一个粗略的方法，也是简单化的方法。

mxwmke1

ACDC2017 发表于 2017-7-17 20:28
这样说还是把三级级联有闭环回路的结构与单级电路混淆了，10倍是一个粗略的方法，也是简单化的方法。

你继续。。。。。

牛骑兵

做个版主不容易啊！～～～～～～

zhchao1971

mxwmke1 发表于 2017-7-17 20:31
你继续。。。。。

版主你应该是错了，看看这个

zhchao1971

书名是晶体管收音机中的新技术，非常好一本书，上世纪八十年代出版的，里面很多内容远领先于当时的技术水平。有一章是专门介绍功放原理的，非常精彩，从OTL开始，然后OCL、DC、CL、BTL功放，超甲类功放、连D类功放都有，在当时确实是新技术。

zhchao1971

zhchao1971 发表于 2017-7-17 21:11
书名是

ACDC2017说的是对的，确实是这样，功放电路闭环后不发生自激振荡的前提条件，就是每级晶体管的特征频率fT都要比后级晶体管高一致二个数量级，即十到一百倍。这样可以不用消振电容，但实际上特征频率fT达到要求的几乎没有，所以只能靠加入消振电容来解决，瞬态指标就会受到影响。

mxwmke1

zhchao1971 发表于 2017-7-17 21:08
版主你应该是错了，看看这个

如果你帖图的内容正确，那么66#那本书也错了。在此我认为技术文献不能与教科书相提并论。

你们继续。。。。。

zhchao1971

这理论又不是我们自己编的，66#没错，但我们说的是多级直接耦合的功放电路，闭环后不自激振荡的条件，这是两个问题。

OP37

跟转换速率逐级加大一个道理

牛骑兵

73#引用的文件中，好像有一些问题。

对于级联放大电路的极点，一般来说，只有电压放大级才会有贡献，而且主要是反映相移方面的贡献。

因此，引用文件的电路中，只有差分放大级和电压放大级需要遵循所用管子Ft需要相隔10倍的要求。

如果输出级是复合达林顿管结构，那么可能需要将复合达林顿驱动级管的Ft考虑进来，但图中明显是同极性达林顿结构，所以应该是不用考虑这么多的。

流着眼泪唱情歌

三级直耦不需要消振电容和高ft，裕量完全，自激个P