怎样才能让JFET管工作在可变电阻区？

kuang70

liushuliang 发表于 2015-11-11 08:53
guang70   你把JFET等同于晶体管了，晶体管是电流放大元件，预置eb导通后，能放大输入信号的电流。JFET设置 ...

这点我明白了，但第一级的VDS只有0.2V，可否介绍一下设置这么低的VDS的目的是什么？

hulx

牛哥 发表于 2015-11-9 19:54
谢谢建议。
不过不用双电源测试也都知道了，上面的帖子已经说了：
“对于实际的J-FET来说，V=GS(off)是 ...

牛哥选了最不重要的地方回应我。好吧
我并不否认因为电流条件不同带来测量的Vgs(off)值不同，这个是事实。分歧在于如何看它，电流越小越逼近那个Vp，而不是有多个Vp。所以我们测量出来的Vp就是能够测出来的那个最小电流下的Vgs，而不是测出来大大小小很多个Vgs，这个本不应该成为困扰。
话说回来，就算这个值不是唯一的，按照牛哥的思路，得到的预夹断轨迹不是唯一的一条线，而是几根（还可以认为是无数根）。我发那个帖子的初衷是为搞清楚JFET的分区，回过来看，这一簇线的宽度不会影响到分区，除非工作点设置过于临界了，但是我相信谁都不会那样做。

hulx

kuang70 发表于 2015-11-11 09:07
这点我明白了，但第一级的VDS只有0.2V，可否介绍一下设置这么低的VDS的目的是什么？

Vds小，不可以等同于动态范围小，这只是静态工作点。而且这个是第一级，输入信号幅值衰减很多。
想搞清楚工作区，LZ还是找本书看，别听别人讲什么。

牛哥

hulx 发表于 2015-11-11 16:36
牛哥选了最不重要的地方回应我。好吧
我并不否认因为电流条件不同带来测量的Vgs(off)值不同，这个是事 ...

    您的意思应该是，U-GS（off)实际的测试中得到的数值，是要受到U-DS影响的吧？其实也正是这个原因，如果把理论的东西照搬来实际中，这样要精确的画出来那条轨迹，应该是不现实的。
我倒是更赞同您的这个观点： “在这两个区之间，JFET特性曲线不是突然就转折了”。
    在实际的应用中，还真的有可能把工作点设置在转折点附近的可能，这时候的工作状况分析就像您说的临界了。但是就是在临界点附近了，这时候电路能不能正常工作？FET管应该是可以工作的，，只不过在分析数据的时候，会因为曲线处的弯曲，情况会变得比较复杂，如果输出信号的幅度比较小，这种曲线的弯曲影响会轻一些。