怎样才能让JFET管工作在可变电阻区？

liushuliang

早知道 改为 要知道

mxwmke1

风卷无声 发表于 2015-11-6 20:18
你就一蠢货，还装什么聪明？人家讨论技术，你在胡闹，滚JB蛋去！

各抒己见，请勿用过激语法来讨论。

bazys

实际上是概念混淆的结果，教科书上分为可变电阻区和恒流即饱和区，其分界线定义为预夹断轨迹。不知道预夹断区的定义是否科学？该定义是本论坛的发明，有待认证。

hulx

JFET就那么点事情，可老是有人捣糨糊。如果非要用电流来纠结工作区的划分只能是越搞越浆糊。搞清楚下面几个问题，就不会糊涂。

1、先去理解电阻的伏安特性，你没看错，就是电阻。
2、JFET工作在可变电阻区到底是什么含义，又是什么物理量控制这个电阻值的变化。
3、同样，饱和区的含义到底是什么，都饱和了，这时候拿什么物理量去控制什么物理量。
4、预夹断的含义又是什么，夹断电压咋回事。

这几个搞清楚了，你会知道那个100uA什么都不是，起码它不是判定工作区的。前提是我们说的饱和区是同一回事，呵呵~~

JFET的工作区，本来不是什么难题，前面网友帖图也说了，黄色区就是电阻区，右边就是恒流区或者饱和区。分界线就是预夹断轨迹，它满足Vds=Vgs-Vp，注意这里的Vgs和Vp都是负值！调试好了的机油可以测试一下，Vds>Vgs-Vp就是饱和区；Vds<Vgs-Vp就是可变电阻区；Vds=Vgs-Vp就是刚好预夹断。

四管机工作区问题，试过几种不同的JFET管子之后的结论是：
1、第一级的工作区，它跟你使用的管子有关。如果管子夹断电压绝对值（因为夹断电压是负值，所以说绝对值不会引起歧义）大，如我用过3DJ6H、3DJ7H、2SK301R（实测指标确为合格品），第一级确实是工作在可变电阻区。而使用2SK304F（亲测）、2N5457（亲测）、2SK389、可能还有2SK366，这几种可以正常工作在恒流区或者叫饱和区。
2、修改偏置电路，也可以让3DJ工作在饱和区，我用3DJ7和2SK301R实验过。

BF245据说很特别，工作点范围宽，而我在使用2N5457的时候也发现了这个现象，跟国产3DJ的现象完全不同。
技术层面的东西，好说。但是说到听感，可能就见仁见智了。有个不太坚定的看法，说出来大家可以拍砖：决定四管机音色的，不是工作区，而是你选用了什么管子。

牛哥质疑我的预夹断轨迹唯一性说法，我还是坚持，原因是对于确定的JFET来说夹断电压Vp就是一定的。但是在这两个区之间，JFET特性曲线不是突然就转折了。

四离谱

好吧，评论什么样都有。是什么区，是什么点，难道不能动手验证一下？
动手做片来听，比纸上谈实在多了。

牛哥

hulx 发表于 2015-11-7 10:56
JFET就那么点事情，可老是有人捣糨糊。如果非要用电流来纠结工作区的划分只能是越搞越浆糊。搞清楚下面几个 ...

“牛哥质疑我的预夹断轨迹唯一性说法，我还是坚持，原因是对于确定的JFET来说夹断电压Vp就是一定的。但是在这两个区之间，JFET特性曲线不是突然就转折了。”

我以前说过可以求同存异的，但是不管怎么理解，不影响对于问题的分析，我还是坚持我的观点，也没必要争论了：
1.同类的J-FET管子，VP不是定值。
2.同型号的J-FET管子，VP不是定值。
这两个应该没有争议。
3.听一个J-FET管子，VP不是定值。这个应该有分歧，我的根据就是测定夹断电压的条件不同，得出来的Vp参数是不同的。

四离谱

牛哥 发表于 2015-11-7 11:07
“牛哥质疑我的预夹断轨迹唯一性说法，我还是坚持，原因是对于确定的JFET来说夹断电压Vp就是一定的。但是 ...

赞同。
刘先生一直强调，每个管特性是不同的。这也是为什么他一直没有给出指导值的一个原因。

bazys

hulx 发表于 2015-11-7 10:56
JFET就那么点事情，可老是有人捣糨糊。如果非要用电流来纠结工作区的划分只能是越搞越浆糊。搞清楚下面几个 ...

      其实弄清楚分区也很有必要，概念上都不能统一，讨论上更不可能有共同语言了。主张有预夹断区者把这个所谓预夹断区放在预夹断轨迹的右侧，分享饱和区的一部分，不能理解。
      至于100uA以下，不是真的把它定义为可变电阻区，而它只能是低电压、低电流的广义代表。

无语密码

没考虑过什么“可变电阻区”

zjmcxf

我在自己的帖子里早就说过，用304和3DJ7H各做一台，这样不纠结，许多人就是不明白

aloha123

牛哥 发表于 2015-11-7 11:07
“牛哥质疑我的预夹断轨迹唯一性说法，我还是坚持，原因是对于确定的JFET来说夹断电压Vp就是一定的。但是 ...

在这个点上看到牛哥固执的可爱。

2. 如果技术工艺可做到完美，同型号的三级馆的放大倍数是不是可以完全一样？
   答案应该是。

   如果技术工艺可做到完美，同型号的J-FET管子Vp是不是定值？
   答案也应该是。

   现在之所以Vp不是定值是因为技术工艺的问题所产生的，而不是设计所产生的。
   但是同一型号生产的Vp值应该都在设计的一定误差范围之内。

3. Vp是一个参数，厂商一定会联合订一个标准来生产，不会各行其是，那买家如何生产？
   也许你所看到的数据正好是厂商加打错了，之后他们又修正而你没察觉。
   下图就是最近查到的2SK170的Vp资料(我特地查2x个Toshiba的JFET的数据资料，发现测Vp的Id都是0.1uA)

牛哥

aloha123 发表于 2015-11-7 20:13
在这个点上看到牛哥固执的可爱。

2. 如果技术工艺可做到完美，同型号的三级馆的放大倍数是不是可以 ...

气死人不偿命啊～～～～至少现在感觉说不出话来了。
继续上图：




其他的就不再说了。

牛哥

71楼的两个图，分别截取的是4个厂家的4种J-FET的PDF文档。
很显然，每个人的标准是不一样的，其实从字面上理解也是很容易的，IDSS=0的的电压，电流真正为0是不可能的，只能是足够小，这个“足够小”就不是个定值。
比如我用ID=1nA，对于东芝管2SK170测定出来的VGS(off)，与他自己用的ID=0.1UA测量出来的值不会是相同的吧？能说我的测试方法是错误的？

hulx

我那个帖子里说过这个电流差别的来由，大家不爱看，我再啰嗦一次。
假设一个n沟道jfet管子的Vp是-2V，那么只要Vgs比这个-2V更负，Id都等于零！Vgs是给定出来的，是因；id是果。

hulx

我们说的绝不是制造管子一致性的问题。

hulx

这个电流越小说明实验室水平高，越接近真实的夹断电压。这个夹断电压不管你测不测它都在那里；不管你用多大电流测，真实的夹断电压也只有一个。电流越小测试越逼近，仅此而已，再想多就是你的不对了。

牛哥

hulx 发表于 2015-11-8 08:04
这个电流越小说明实验室水平高，越接近真实的夹断电压。这个夹断电压不管你测不测它都在那里；不管你用多大 ...

不是没看您说的，你能正面回答这个问题就行了：
“比如我用ID=1nA，对于东芝管2SK170测定出来的VGS(off)，与他自己用的ID=0.1UA测量出来的值不会是相同的吧？能说我的测试方法是错误的？”

牛哥

hulx 发表于 2015-11-8 07:55
我那个帖子里说过这个电流差别的来由，大家不爱看，我再啰嗦一次。
假设一个n沟道jfet管子的Vp是-2V，那么 ...

那我也再罗嗦一次，您说的IDSS=0的情况是怎么来的？是V-GS的绝对值由高到低逐渐的增加，这时候ID逐渐的减小，当ID接近0的时候，或者说是无限接近零的时候，这时候的V-GS就是VGS(off)。因为电流不是唯一，那么这就是说V-GS这个值不可能是是唯一的。
    或者反过来说，当VGS绝对值逐渐减小，当ID从0到开始有电流的前一刻时候的V-GS，就是VGS(off)，这里面同样有个电流大小的问题，多大的电流才能称为“有电流”，这个“有电流”是指的的多大电流不确定，VGS(off)就不确定。
    您说的ID刚好等于0的时候，那是理想的情况，实际上的做法是无法达到的。这么简单的事情真的不想再争论，所以我才说“求同存异”。