怎样才能让JFET管工作在可变电阻区？

牛哥

hulx 发表于 2015-11-8 10:44
1nA和0.1uA测出来的值是很接近的，只能说1nA更小，所以更接近真正的Vp。而且使用1nA和0.1uA测出来的数 ...

您虽然不愿意正面面对问题那就算了，其实您自己也说服不了自己了。

“1nA和0.1uA测出来的值是很接近的，只能说1nA更小，所以更接近真正的Vp。而且使用1nA和0.1uA测出来的数值差别不大。”
差别不大，就是二者有差别，那就不是唯一的了。

无语密码

LZ想太多了
实际上是电流决定“可变电阻区”
只要确定了静态电流，那么动态电压就知道了，所以没有必要考虑“可变电阻区”
了解“动态电压”要比“可变电阻区”更有意义

无语密码

只要工作在最佳的动态电压范围内，就没必要研究“可变电阻区”的

枫枫枫玲

牛哥 发表于 2015-11-8 09:31
那我也再罗嗦一次，您说的IDSS=0的情况是怎么来的？是V-GS的绝对值由高到低逐渐的增加，这时候ID逐渐的减 ...

非常赞同牛哥的观点，我也是这样的理解，其实这电路多用几种管子实践，细心仔细对比就不难理解其中困惑，唯一要注意的是别用对普通三极管的理解和固有思维去理解J-FET的工作状态及特性，多实践加一定的理论知识做好这个前级并不难。

kpwj

听刘老的没有错

无语密码

对放大认识不到位时，可变电阻区才变得重要

kuang70

liushuliang 发表于 2015-11-6 19:38
看了一楼的文字叙述，你完全搞错了。四管前级的前三级都是设置在恒流区（或叫饱和区，预夹断区）而不是设置 ...

实在难以理解既然前三级都是设置在恒流区，为什么ID设置在uA级别，VDS设置得这么低？

bazys

定义到某区的方法、标准找不到，就只能凭耳听了。耳朵就是标准，耳朵就是工作点。已有的最佳工作电压电流参考值就基本上由耳朵来制订的吗。这里我指的当然最前面说的四管机了。这种微观这抽象的概念炒得再多也没实际意义。不是听谁的，客观的东西谁能说了算？     还是聊斋那句话，  谁能解得开，谁能解得开？

liushuliang

JFET的工作区就是JFET的恒流区，也是JFET最线性的工作区，但它是微信号放大，只要有微弱的信号，DS就能产生极大的交流电压。设置在可变电阻区也有放大能力，但不是线性工作区，能放大较大的信号，性质不一样，声音也不一样。JFET是电压放大元件，预置电流小又怎么样呢？不要以电流放大的晶体管工作情况同它比，本来就是不一样的元件。

liushuliang

JFET同电子五极管工作情况基本相似。电子管工作电流也设置在很小的电流范围，近1-2ma里，再大就失真了。这是管子的特性要求你这样设置的，不能凭主观想象设置电流越大越好。JFET一样，真正工作区就是微安级的，你认为电流太小，那是你的思维问题。直流预置电流与交流电压放大是同时存在的。电流大了，性质就完全变了，脱离了JFET的工作区。

liushuliang

四管前级的输出级就是设置在可变电阻区，我们现在看到的所有电路几乎都是这样的，他能通过比较大的信号。预置电流比较大。输出级电流从0.25-1ma都能工作，但它的放大能力不取决管子的跨导，而是取决于Idss的大小。论坛上有些人就是喜欢钻牛角尖，往死胡同钻。原来一个很简单的问题，把它复杂化，弄到最后自己搞糊涂。也有人其实看不懂输出特性曲线图，片面理解了问题。我建议自己将一个JFET做一个测试，画个转移特性图，一看就明了，在固定的直流电压下，Vgs对应的Ids，就知道什么是可变电阻区，什么是变化缓慢的恒流区（饱和区）。这样就不要再花精力去讨论，写了一大堆公式，却将自己弄糊涂。

kuang70

liushuliangls老师你好，JFET管因应它的结构工作电流小尚能理解，但VDS设置得这么低就不好理解了，第一级动态范围只有0.2V？这样设置的目的又是什么？

patch

kuang70 发表于 2015-11-9 10:58
liushuliangls老师你好，JFET管因应它的结构工作电流小尚能理解，但VDS设置得这么低就不好理解了，第一级动 ...

这个动态范围确实是这么多，就这么设计的。

aloha123

牛哥 发表于 2015-11-7 23:41
气死人不偿命啊～～～～至少现在感觉说不出话来了。
继续上图：

不好意思，一席话让牛哥怒火上升。

0.1uA, 10nA, 1nA这是测试时让我们能知道在这个点的Vgs(off)值正好开始启动Id。
虽然0.1uA, 10nA, 1nA都是十倍、十倍的差距，但是在Vgs上的变化猜测也许只有0.1%或甚至更低。
(我手边没有JFET没法测，只是推测)。但是这样的Vgs(off)值的变化对整个电路或电路设计影响非常非常小。
但如果以科学的微观，那还是不一样。那就看你以哪一个当取舍。

FET这个东西是70年代小日本发明的。因此所有规格也是他们订出来的。
我翻了各种J-FET，Vgs(off)最大的测试Id是0.1uA。
也许这是小日觉得这样已OK，又或者当时他们的技术只能做到这里。
当小日大卖其FET产品，其他欧美也跟进出产品。
他们如何打进已是小日市场的客户？ 以技术说服，这是我认为会有10nA, 1nA的测试规格。

kuang70

aloha123 发表于 2015-11-9 14:01
不好意思，一席话让牛哥怒火上升。

0.1uA, 10nA, 1nA这是测试时让我们能知道在这个点的Vgs(off)值正好 ...

既然这样，我们在音频范围应用，就没必要计较只有0.1%或甚至更低的Vgs(off)值的差别了吧？一句话，不同的测量标准，有不同的Vgs(off)值。

kuang70

这是3DJ6F的曲线图，四管机的第一级工作在什么区？

牛哥

kuang70 发表于 2015-11-9 14:10
既然这样，我们在音频范围应用，就没必要计较只有0.1%或甚至更低的Vgs(off)值的差别了吧？一句话，不同的 ...

是啊，我说的就是这个意思，采用的测试标准不同，同一个管子是会得到不同的V-GS(off)值的，所以我认为实际操作过程中，VGS(off)不是“唯一”的。
其实就是相差那么点的误差，并不影响说明问题，因为作图法计算晶体管的静态工作点的时候本来就是估算的。再说那条轨迹也是为了说明问题方便问设置的，在管子的特性中，饱和性和不饱和性，没有一个明确的分水岭，看曲线的弯曲就知道，这是一个渐变过程。

其实哪有那么多的怒火啊～～～～有时候我也是为了自己不能清楚明了的说明问题自己窝火呢。

aloha123

kuang70 发表于 2015-11-9 14:10
既然这样，我们在音频范围应用，就没必要计较只有0.1%或甚至更低的Vgs(off)值的差别了吧？一句话，不同的 ...

假如 同一只JFET测试

        Id=100nA 时　Vgs=1.0000V
        Id= 10nA 时　Vgs=1.0100V
        Id=  1nA 时　Vgs=1.0101V

没错不同的测量标准，当然有不同的Vgs(off)值。意义何在？

你在这个帖上回答许多问题都相当不错，但是你却会在#91问那样的问题，让人费解。

人有些时候会在一个点上执究，绕不出来。

我之所以认为牛哥执着的可爱也是基于同样的旁观。

牛哥

aloha123 发表于 2015-11-9 15:11
假如 同一只JFET测试

        Id=100nA 时　Vgs=1.0000V

问那个问题是有原因的。您好好看看问题的关键是什么？是要确定“唯一”还是“不唯一”。
虽然从表面上看，这点误差不会引起讨论问题的重大偏移。

技术讨论分歧点在61楼：
牛哥质疑我的预夹断轨迹唯一性说法，我还是坚持，原因是对于确定的JFET来说夹断电压Vp就是一定的。但是在这两个区之间，JFET特性曲线不是突然就转折了。

牛哥

aloha123 发表于 2015-11-9 15:11
假如 同一只JFET测试

        Id=100nA 时　Vgs=1.0000V

对于实际的J-FET来说，V=GS(off)是测量出来的，因为测试的技术手段不同，采用不同的测试电压，不同的电流临界点，得到的V=GS(off)是不同的，或者说同一个管子因为测试条件的不同会有多个正确的V=GS(off)。这才是在手册里面给定V=GS(off)的时候，一般都应该同时给出测试电压和电流临界点。

还有，您看错了吧？91楼，我有什么问题啊？