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发表于 2010-8-30 13:01 | 显示全部楼层
温补管是温补管

推动管是推动管

不要混淆了,大多是温补管和输出管装在同一散热器上!!!

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发表于 2010-8-30 13:50 | 显示全部楼层
那些没仔细看清别人写的什么,动不动反对!胡说八道之类的言语,我觉得简直就是丢自己的人。
我同意20楼兄弟说的!凡是反对的都是没实践过,或者小学没毕业。

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发表于 2010-8-30 14:05 | 显示全部楼层
那些没仔细看清别人写的什么,动不动反对!胡说八道之类的言语,我觉得简直就是丢自己的人。
我同意20楼兄弟说的!凡是反对的都是没实践过,或者小学没毕业。
发烧颠子 发表于 2010-8-30 13:50


看清楚了。您的意思由推动管的温度变化来控制大管电流对吧?按这个意思说,是由推动管因为温度变化来给大管做温度补偿的对吧?

那么又是谁去控制推动管电流变大或者变小呢?难道是散热器?既然散热器这个无源器件可以对推动管进行直接的温度补偿、从而控制大管电流的大小,那还要温补管或者类似温补管作用的二极管、热敏电阻之类的干什么?干脆都去掉好了,都说是在电路里多个香炉多个鬼,给推动管加足够多独立的散热器就行了不是、太简单

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大部分三极管是温度变高电流变大,部分MOS管是温度变高电流变小,不同管子温度特性是不同的

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大部分三极管是温度变高电流变大,部分MOS管是温度变高电流变小,不同管子温度特性是不同的

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都是连锁反应的,能分开来看待吗??推动级电流大小末级都是跟着变动的

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给推动管加足够多独立的散热器就行了不是、太简单
yili 发表于 2010-8-30 14:05

是不?你的理解和楼主的理解也差不多!何必较真?楼主的意思是推动管和放大管放一个散热器上不行。甲类散热器温度很高,那推动管靠上面根本就没意义。

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给推动管加足够多独立的散热器就行了不是、太简单
yili 发表于 2010-8-30 14:05

是不?你的理解和楼主的理解也差不多!何必较真?楼主的意思是推动管和放大管放一个散热器上不行。甲类散热器温度很高,那推动管靠上面根本就没意义。
发烧颠子 发表于 2010-8-30 17:57



懂了,谢谢这位大侠的亲切指导。我真该回去重新上小学,请老师重新谆谆教导该如何断章取义,才能在社会上混,而根本不必在意整个架构和联动效果  

还是投降算了,免得下次又被只截取几个字来回复。打字可真累  

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发表于 2010-8-30 19:20 | 显示全部楼层
晶体管温度变化为什么会造成电流变化,根本不是楼主说的什么温度升高内阻下降那回事,楼砌了31层解释的基本也都没有说到点上。如果手头没有教科书,可以去网上随便搜一个晶体管的规格书来看,里面一般都有温度变化曲线。很明显,温度变化影响的主要是管子hfe和Vbe。一般说BJT管是正温度系数就是指的温度上升时hfe上升,恒定电流时Vbe下降,Vbe恒定时电流上升,主要影响静态电流的就是Vbe。
楼主的说法只考虑到假设温补管温度系数与推动管相同。在温补管,推动管,末级管装在同一个散热器上时,温补只可以补偿温度变化时推动管上的电流变化,而末级因为温度上升产生的电流变化是不受控制的。根据电流计算公式I = (Vs - Vbe) / RL,可以自己去计算。此时如果温度过高(一般超过70度就很危险了),且末级电流较大,就很容易出现末级失控的情况。如果出现这种情况就必须把推动管和末级管分开安装,设法把推动管温升控制在很小的范围内(因为根据公式计算,推动电流上升也会造成末级电流上升),温补管与末级管装在一起。
不过现在电路设计,偏置电路设计基本上采用两电阻分压给偏置管基极的形式,这种电路形式温度补偿系数是可控的,由Rb1和Rb2的比值决定。具体计算公式我记不住,得查书。有兴趣的可以去查下,具体公式待楼下同学补充。用了这种电路,经过精确计算后,所有管子都装到一起就没有问题了。

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发表于 2010-8-30 19:48 | 显示全部楼层
理论我不懂,不过见到很多名机都是推动管和输出管用同一散热,看看金嗓子,KERLL,ML....

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狠狠地拍lz一砖:因为把推动管弄到大散热器上省的再去弄个单独的散热片大力支持32楼

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呵呵!我也不争了!反正使用中,放不放一起没见多大危险指数区别。

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 楼主| 发表于 2010-8-31 23:45 | 显示全部楼层
温补管是温补管

推动管是推动管

不要混淆了,大多是温补管和输出管装在同一散热器上!!!
179win 发表于 2010-8-30 13:01

这位仁兄说的非常清楚,温补管是温补管,推动管是推动管,二者不能混为一谈。所谓的温补管并不是推动管而是偏置管,还不明白的建议拿电烙铁放在推动管上10分钟就知道输出管会有什么反应了。再搞不明白的建议深入学习下功放各元件工作原理和晶体管相关理论。

我七几年就开始摸晶体管了,那时候兴叫半导体,从矿石机玩起,感受不可谓不深。

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从补偿角度看,弊大于利。楼主的说法是正确的。

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发表于 2010-9-1 09:39 | 显示全部楼层
晶体管温度变化为什么会造成电流变化,根本不是楼主说的什么温度升高内阻下降那回事,楼砌了31层解释的基本也都没有说到点上。如果手头没有教科书,可以去网上随便搜一个晶体管的规格书来看,里面一般都有温度变化曲 ...
czcboto 发表于 2010-8-30 19:20


正确!以下土法计算偏置管与推动管、大管共散热的结果:
1、设电流级两级Bjt,Vbe均是0.6V,末级射阻0.2欧,稳定静态电流0.1A,此时总偏置2.44V。
2、设单Bjt偏置,根据分压公式有:0.6/R1=(2.44-0.6)/R2,设R2=1K,可算出R1=326欧。
3、设大管发热,Vbe 降至0.58V,偏置管、推动管也跟着降至此值,
R2的压降为:X=0.58/326=1.779V,
总偏=1.779+0.58=2 .359V
射阻电压=2.359V-0.58*4=0.039V
末级电流=0.039V/(0.2*2)=0.1A
补偿成功!

如果仍觉不安全,可将偏置管改为复合管或射极串接二极管,增强补偿效果。
如果是甲类,散热片足够大,Vbe变化引起的末级电流变化才0.3-0.5A左右,有足够能力消化补偿不足或误差影响。

手工计算,又浪费了40分钟。

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发表于 2010-9-1 11:39 | 显示全部楼层
连定义都给人颠倒过来了,看来是纯粹找pk的。口水多的上吧。

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发表于 2010-9-3 12:05 | 显示全部楼层
应该分清电路结构是射极跟随还是倒置达林顿式的,射极跟随式的驱动管和输出管以及温度补偿管可以装在同一散热器上,而倒置达林顿式的驱动管和输出管最好不要装在同一散热器上,另外温度补偿管应该尽量靠近驱动管,因为静态电流完全取决于驱动管。
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