[分立后级] IGBT能做功放么?

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 楼主| 发表于 2015-5-30 19:56 | 显示全部楼层
草画了个图,没原理问题的都省略掉。电容就一个没画,值一个没标。请指正,有问题我调图。欢迎提出问题。IGBT我的图库还没有现做了个不大好看
OPAIGBT.PNG

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发表于 2015-5-30 21:12 来自手机端 | 显示全部楼层
扬帆远航 发表于 2015-5-30 19:56
草画了个图,没原理问题的都省略掉。电容就一个没画,值一个没标。请指正,有问题我调图。欢迎提出问题。IG ...

一点看法不一定对供参考,igbt本身是复合管,频率又低,所以稳定性是大问题,容易自激。所以电路应该是那种级数少简洁稳定性高补偿容易的较适合,你这个图可能不太适合。

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 楼主| 发表于 2015-5-30 21:35 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 21:12
一点看法不一定对供参考,igbt本身是复合管,频率又低,所以稳定性是大问题,容易自激。所以电路应该是那 ...

最多去一级去两级幅度就不够了

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发表于 2015-5-30 21:41 来自手机端 | 显示全部楼层
扬帆远航 发表于 2015-5-30 21:35
最多去一级去两级幅度就不够了

运放内部就三级了,我的建议是不用运放。

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 楼主| 发表于 2015-5-30 21:55 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 21:12
一点看法不一定对供参考,igbt本身是复合管,频率又低,所以稳定性是大问题,容易自激。所以电路应该是那 ...

去了一级,序号没调。自激是移相造成的,减小移相应不难解决自激。再看看还有什么问题?
OPAIGBTA.PNG

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 楼主| 发表于 2015-5-30 21:58 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 21:41
运放内部就三级了,我的建议是不用运放。

运放我还是要用,我不喜欢低开环增益的功放。(输出阻抗下不来听着不利索)

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发表于 2015-5-30 22:07 来自手机端 | 显示全部楼层
能告诉我你的igbt管输入电容和反馈电容是多少吗?还有开启电压。

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 楼主| 发表于 2015-5-30 22:37 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 22:07
能告诉我你的igbt管输入电容和反馈电容是多少吗?还有开启电压。

我也得查。查出帖上

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 楼主| 发表于 2015-5-30 22:46 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 22:07
能告诉我你的igbt管输入电容和反馈电容是多少吗?还有开启电压。

最多的是这只:http://www.infineon.com/dgdl?fil ... 87501495c079c9c1e2f
还有K50T60我一次只能贴一个

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 楼主| 发表于 2015-5-30 22:51 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 22:07
能告诉我你的igbt管输入电容和反馈电容是多少吗?还有开启电压。

另一个:http://www.infineon.com/dgdl?fil ... 7950112b4288ce93e21
这个栅容很大,30的还好。T0ff都偏大但没出圈

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扬帆远航 发表于 2015-5-30 22:46
最多的是这只:http://www.infineon.com/dgdl?fileId=5546d4624933b87501495c079c9c1e2f
还有K50T60我一 ...

和普通场管没啥区别,就是开启电压高了点。为了降低内阻用运放完全没必要。

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 楼主| 发表于 2015-5-30 23:38 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 23:19
和普通场管没啥区别,就是开启电压高了点。为了降低内阻用运放完全没必要。

我特习惯用运放,我手里还真有老JFET双生管。散管拼的话,增益上来级间阻抗也就上来了,RC必长,联带都上来了。
这东西比MOSFET慢不止一倍(由开关方式看)估计3-5倍得有。开启电压没多大负作用只影响钳位电压。影响点上半边幅度。

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发表于 2015-5-30 23:58 | 显示全部楼层
扬帆远航 发表于 2015-5-30 23:38
我特习惯用运放,我手里还真有老JFET双生管。散管拼的话,增益上来级间阻抗也就上来了,RC必长,联带都上 ...

IGBT开关慢主要是复合管中的三极管关断慢,三极管关断慢是通病用在线性放大并不会比一般的三极管差。IGBT是倒达林顿复合,这种复合稳定性差易自激。用管肯定比用运放级数少补尝好弄稳定性也要好。
如果你喜欢用运放,上面的图问题很多,建议用1969+运放结构,如果不能稳定工作还可以改成无大环反馈+直流饲服结构,如果不用运放可用我另一个贴子http://bbs.hifidiy.net/forum.php ... =1097215&extra=里的结构。
另外,igbt温补是个问题。

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 楼主| 发表于 2015-5-31 07:41 | 显示全部楼层
理想发烧 发表于 2015-5-30 23:58
IGBT开关慢主要是复合管中的三极管关断慢,三极管关断慢是通病用在线性放大并不会比一般的三极管差。IGBT ...

看了你的电路。图这部分是电流放大部份。我那图是电压电流全有了。没想搞太复杂。应能直接接信号源。
做个电路构架总有个设计目标,想了解一下你那电路设计的主要指标是什么?(我对1969就外行)加上电压部份-3db带宽?THD?最大输出功率(不变形)输出阻抗等?
我画的图(没仿过也不会)肯定有考虑不到之处所以请高手指正。在运放的可能性不大
关于自激:自激的基理就是移相超过90度以上。关键点就是把这点往高频端推·,IGBT会有这问题但比双极慢多少?也不会很多。其实是个各级的积累。这话题大了点。
IGBT的温补真正问题在最简方案。我没看也没算,。同MOSFET,双极没有太多的不同测个数找个反相方式就应成立。
你的图如你试过成立我抽空搭一个试试也不慢,测测看。

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应该可以记得《无线电与电视》91年还是92年有一期就刊登了一款IGBT功放。

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bingshui 发表于 2015-6-3 20:14
应该可以记得《无线电与电视》91年还是92年有一期就刊登了一款IGBT功放。

我没看过这篇。也没这老杂志

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发表于 2015-6-3 20:57 | 显示全部楼层
参考著名的亚历山大电路
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