irfp240功率管曲测量线性非常差 最好不要用来做功放管

最后的发烧

uikyhuang 发表于 2025-10-4 22:03
管子已经到手，10个发9个，还有1个坏的。不懂怎么区分普通场管还是碳化硅，已知是打磨管，两边长方型缺口 ...

假的了。淘宝非常多。我退了很多管

uikyhuang

最后的发烧 发表于 2025-10-5 01:28
假的了。淘宝非常多。我退了很多管

某刀买的，退了1块钱，对比一圈以为是某厂的25n120，它和大众厂的25n120背板都不一样，介绍说是IGBT管，但是和我之前买的10n120电磁炉igbt管测试结果又不一样，10n120，红笔g，黑笔s点一下，再黑红笔测sd脚，根本没变化。这个＂25n120＂这样测sd脚是由470变000的，一直保持，手摸一下g又变回470，和手上irf250是一样的，说明不是igbt而是mos管，这个方法测K2967管就有意思了，必须得快，点完马上测sd脚，几秒钟会由000慢慢回470。根据电容大小，可以排除小芯片冒充的，6毛一个做音乐蜡烛和电子负载或炮灰管都不亏就没退货。

无线电娃

docmd 发表于 2025-8-15 01:39
喇叭也是非线性的，在线圈远离磁铁时，推力减弱但震膜阻力增大，正好配合场管，幅度越大推力越大，互相中和 ...

真的吗，那会不会本应该是轰轰声，直接成了绑绑声，你说的感觉像正弦波变成方波了是不是

docmd

无线电娃 发表于 2025-10-5 09:04
真的吗，那会不会本应该是轰轰声，直接成了绑绑声，你说的感觉像正弦波变成方波了是不是

事实上是场管低音比BJT更有力度感。

docmd

uikyhuang 发表于 2025-10-5 06:11
某刀买的，退了1块钱，对比一圈以为是某厂的25n120，它和大众厂的25n120背板都不一样，介绍说是IGBT管， ...

砸开看看，IGBT有两个大小芯。

发烧求败

当用MOS管做电流放大时 总盯着其线性是不对的

hwckent

先把你认为的好管的线路提升线性再说吧。。。否则就是误人子弟


完整电路在这贴35#最后一个压缩包 http://bbs.hifidiy.net/thread-1516372-2-1.html
我给出2SK1058 2SJ162的模型方便对比

.MODEL 2SK1058 NMOS (VTO=403.969M KP=20U L=2U W=29.7482M GAMMA=0 PHI=600M LAMBDA=184.988F RD=60.8251M CBD=2.56138N IS=10F CGSO=1.13517N CGDO=1.13517N TPG=1 UO=600 RG=50 RDS=1MEG)

.MODEL 2SJ162 PMOS (VTO=-842.193M KP=20U L=2U W=21.3317M GAMMA=0 PHI=600M LAMBDA=20.7067M RD=837.199M CBD=2.96862N IS=10F CGSO=1.13517N CGDO=1.13517N TPG=1 UO=600 RG=50 RDS=1MEG)

.model 2SJ162C VDMOS(pchan Vto=-0.08 Kp=0.6 Lambda=0.1 Rs=0.55 Rd=0.1 Rds=1e7 Cgdmax=215p Cgdmin=10p a=0.25 Cgs=900p Cjo=1200p m=0.7 VJ=2.5 IS=4.0E-06 N=2.4)

**********
.SUBCKT MSK1058 1 2 3
* TERMINALS: 1=Drain, 2=Gate, 3=Source
M1 9 7 8 8 DMOS L=1U W=1U
RD 1 9 80.4M
RS 3 8 5.28M
RG 2 7 21.4
CGS 7 8 410P
EGD 12 0 7 9 1
VFB 14 0 0
FFB 9 7 VFB 1
CGD 13 14 128P
R1 13 0 1
D1 12 13 DLIM
DDG 15 14 DCGD
R2 12 15 1
D2 15 0 DLIM
DSD 8 1 DSUB
LS 30 3 7.5N
LD 1 9 4N
.MODEL DMOS NMOS (LEVEL=3 THETA=85M VMAX=163K ETA=2.2M VTO=.2 KP=.999)
.MODEL DCGD D (CJO=128P VJ=.6 M=.68)
.MODEL DSUB D (IS=29N N=1.5 RS=61.4M BV=160 CJO=802P VJ=.8 M=.42 TT=252N)
.MODEL DLIM D (IS=100U)
.ENDS

.SUBCKT MSJ162 1 2 3
* TERMINALS: 1=Drain, 2=Gate, 3=Source
M1 9 7 8 8 DMOS L=1U W=1U
RD 9 1 110.4M
RS 8 3 25.28M
RG 7 2 17.4
CGS 7 8 760P
EGD 12 0 1 2 1
VFB 14 0 0
FFB 9 7 VFB 1
CGD 13 14 467P
R1 13 0 1
D1 12 13 DLIM
DDG 15 14 DCGD
R2 12 15 1
D2 15 0 DLIM
DSD 9 8 DSUB
LS 8 3 7.5N
LD 1 9 4N
.MODEL DMOS PMOS (LEVEL=3 THETA=90M VMAX=183K ETA=6.5M VTO=-.2 KP=1.109)
.MODEL DCGD D (CJO=467P VJ=.6 M=.68)
.MODEL DSUB D (IS=29N N=1.5 RS=61.4M BV=160 CJO=900P VJ=.8 M=.42 TT=252N)
.MODEL DLIM D (IS=100U)
.ENDS

SPICE模型来自Bob Cordell的《Designing Audio Power Amplifiers》（第455页提供改进模型）。这些是工程师基于实测和数据手册逆向工程的子电路模型，选择了社区验证过的版本的

hwckent

上楼仿真的IRFP9240 IRFP240模型Ian Victor Hegglun工程师还基于实测和数据手册逆向工程的子电路模型，模型数据还温度依赖性（通过 dTj 参数模拟结温变化），这让它们在热效应模拟（如高温下的阈值电压 Vto、跨导 Kp、电阻 Rs/Rd 等参数随温度漂移）上更精细。（高功率/高温模拟 热失真/可靠性）ps：你测试温度变化了吗？
Vto = {4.0 - (6m - 1m)*dTj}（IRFP240）：模拟阈值电压随温度降低（典型 MOSFET 行为，约 -2mV/°C 到 -6mV/°C）。
Kp = {6 * ((dTj + 300)/300)^-(2.3 - 1.5)}：跨导随温度幂律衰减，符合实际硅器件。
Rs/Rd/Ksubthres 等也引入了 dTj 系数，模拟热电阻增加和亚阈值导电变化。
其他参数如 Cgdmax=1.3n、Qg=45nC 接近 Vishay 数据手册典型值（Qg 实际为 70nC max，但模型用 45nC 作为典型）。

***********
.model IRFP240_ VDMOS (Rg=17 Vto={4.0-(6m-1m)*dTj} Lambda=3m
+ Rs={40m*(1+3.5m*dTj)} Kp={6*((dTj+300)/300)**-(2.3-1.5) }
+ Ksubthres={0.15*(1+4m*dTj)} Mtriode={0.35} Rd={0.15*(1+5m*dTj) }
+ Cgdmax=1.3n Cgdmin=10p a=0.35 Cgs=1.2n Cjo=1n m=0.4 VJ=0.75
+  Is=10n N=1.5 Eg=1.1 Rb={0.01*(1+3m*dTj) }
+ Vds=200 Ron=0.15 Qg=45nC mfg=VishIH2501)

.model IRFP9240_ VDMOS (pchan Rg=9 Vto={(-4+(6m-1m)*dTj)} Lambda=4m
+ Rs={64m*(1+3.5m*dTj)} Kp={9*((dTj+300)/300)**-(2.3-1.5) }
+ Ksubthres={0.15*(1+4m*dTj)} Mtriode=0.2 Rd={0.25*(1+5m*dTj) }
+ Cgdmax=1.6n Cgdmin=30p a=0.5 Cgs=1.4n Cjo=1n m=0.4 Vj=0.75
+  Is=10u N=7 Eg=3.15 Rb={0.05*(1+0m*dTj) }
+ Vds=-200 Ron=0.5 Qg=44nC mfg=VishIH2501)