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耳朵有毒 发表于 2013-5-5 12:48 
呵呵,牛哥别急,我比你还着急,您的意思是Q3有问题?那不如换只新的看看,刚才检查电路发现居然每声道有 ...
不是管子有问题,是根据原电路的设计,要使Q1工作,需要4V左右的电压才可以,原机R9=1K,这就要求Q3的的静态电流在4MA左右,一般来说要求管子的IDSS在8MA以上,这个电路后面驱动的是MOS,可能需要不了这么高的要求。你手头的管子不一定能满足要求,所以只能根据手头的原件来调整电路的其他参数。
FET的离散性比较大,业余测试也比较麻烦,如果你手头的K105比较多,而且有条件搭电路测试,可以参考相关的帖子,挑选IDSS大,而且基本配对的两个管子用。
简单的说,增大R9就是要让Q3的工作电流小一些,降低对Q3管子的饱和漏电电流的要求,虽然这样做可能会导致缓冲级Q1的输出电阻升高,驱动后面的MOS高频上有点影响,这也是不得已而为之的办法。
当然如果你经过测试,Q3的饱和漏电流接近或者大于8MA,就不用再改变R9的阻值了。 |
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