高压IGBT做功放有何缺陷

tsyg99 · 发表于 2014-10-28 18:31

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tsyg99 · 发表于 2014-10-28 18:37

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forsli@163.com · 发表于 2014-10-28 19:47

[quote]tsyg99 鍙戣〃浜

forsli@163.com · 发表于 2014-10-28 20:24

tsyg99 发表于 2014-10-28 18:31
+-50V以内是没有多大优势的
上高压后，饱和压降应该考虑为6~8V;
开启电压可选1~2V，要不功耗不够大，驱 ...

达林顿、MOS模块都没有互补的，都只有N管，不过在大电流方面的确强大

forsli@163.com · 发表于 2014-10-28 20:31

20-20 发表于 2014-10-28 18:01
可以玩玩，但下图饱和压降大，有2~4V 何解呢、

开启电压高这容易解决，提高前级电压可吗？

因为IGBT内部是N-MOS推NPN结构的达林顿结构，饱和压降应该和达林顿管相当，4V的饱和压降它的性能很麻麻，好的要小于3V，额定电流下应不大于2V

tsyg99 · 发表于 2014-10-28 21:10

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longlong · 发表于 2014-10-28 22:14

这种所谓IGBT如何：

扬帆远航 · 发表于 2014-10-29 08:47

tsyg99 发表于 2014-10-28 14:11
可以下载官方资料FGL40N120AND
很多元件都没有资料的

上原厂官网，百度的资料不全还不保严谨。好多都是转了好几回的东西。这东西能不能用，我说不好，我感觉比MOSFET速率低

tsyg99 · 发表于 2014-10-29 09:39

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zhongqi · 发表于 2014-10-29 11:52

longlong 发表于 2014-10-28 22:14
这种所谓IGBT如何：

这是国外网站上的懒猫电路！看我的头像就是

tsyg99 · 发表于 2014-10-29 14:10

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